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英特尔45纳米制程技术创新及产品概述

作者:admin 来源:未知 时间:1629914343 点击:

[文章前言]:英特尔45纳米高K半导体制程技术全称为英特尔45纳米高K金属栅硅制程技术。该技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层,是半导体行业近40年来的重要创新。英特尔的65纳

  英特尔45纳米高K半导体制程技术全称为英特尔45纳米高K金属栅硅制程技术。该技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层,是半导体行业近40年来的重要创新。英特尔的65纳米制程升级为45纳米制程技术并非以往升级所带来的量变,而是脱胎换骨的飞跃。凭借制程的创新,英特尔迈出TICK-TOCK产品发展战略稳健的又一步,并拉开了半导体行业发展的历史新篇章。这一创新再次延续了摩尔定律,使之在未来10年继续有效。

  随着英特尔45纳米半导体制程技术揭开神秘面纱,一系列采用该技术的服务器、工作站及台式机处理器同期发布。较前代产品,新产品在性能、能耗比以及经济性方面有显著提高,并将在正式发布后向市场供货。

  英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术是英特尔制造晶体管的新方法,它以一种具有高k特性的新材料作为“栅极电介质”,并采用了一种新型金属材料作为晶体管的“栅极”。向这些新材料组合的转变,标志着40多年来晶体管制造方式最重大的变革。

  全新英特尔45纳米高k晶体管方案通过缩小晶体管的体积解决了漏电率问题。它能降低晶体管的漏电率,帮助英特尔的工程师们在提供更高性能的同时降低处理器的能耗。同时,笔记本电脑用户也将发现,漏电率的降低使得能耗也随之减少,电池的使用时间更长了。

  高k材料基于一种名为铪的元素,而不是以往的二氧化硅;而晶体管栅极则由两种金属元素组成,取代了硅。多数晶体管和芯片仍基于先进的英特尔硅制程技术制造。新的方案中结合了所有这些新材料,是英特尔提升处理器性能的独特手段。

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